元器件型号详细信息

原厂型号
BSS87H6327FTSA1
摘要
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
详情
表面贴装型 N 通道 240 V 260mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89-4-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
240 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
260mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6 欧姆 @ 260mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 108µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
97 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT89-4-2
封装/外壳
TO-243AA
基本产品编号
BSS87

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

BSS87H6327FTSA1DKR
BSS87H6327FTSA1TR
BSS87H6327FTSA1CT
SP001047646
BSS87H6327FTSA1-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies BSS87H6327FTSA1

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仿真模型
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价格

数量: 50000
单价: $1.3978
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 25000
单价: $1.41251
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 10000
单价: $1.48976
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 5000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 2000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 1000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 500
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
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数量: 1
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最小包装数量: 1

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