English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRLI3705NPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRLI3705NPBF
摘要
MOSFET N-CH 55V 52A TO220AB FP
详情
通孔 N 通道 55 V 52A（Tc） 58W（Tc） TO-220AB 整包
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 28A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
98 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3600 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
58W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB 整包
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
IRLI3705
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
*IRLI3705NPBF
SP001576840
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRLI3705NPBF
相关文档
规格书
1(IRLI3705NPbF)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
设计资源
1(IRLI3705NPBF Saber Model)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Chg 18/Dec/2020)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRLI3705NPbF)
EDA 模型
1(IRLI3705NPBF by Ultra Librarian)
仿真模型
1(IRLI3705NPBF Spice Model)
价格
数量: 5000
单价: $9.58593
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $9.95463
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $10.69203
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $12.90408
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $15.706
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $19.54
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $21.78
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-