IPD60R385CPBTMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD60R385CPBTMA1

摘要

MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 600 V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3-11

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

>>>点击查询实时库存<<<

技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™ CP

包装

卷带（TR）

Product Status

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

385 毫欧 @ 5.2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 340µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

22 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

790 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

83W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3-11

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD60R

其它名称

IPD60R385CPBTMA1CT

IPD60R385CPINCT

IPD60R385CPINCT-ND

IPD60R385CPINDKR

IPD60R385CPINDKR-ND

IPD60R385CP-ND

IPD60R385CPINTR-ND

IPD60R385CPBTMA1DKR

SP000307381

IPD60R385CPXT

SP000062533

IPD60R385CP

IPD60R385CPINTR

IPD60R385CPBTMA1TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD60R385CPBTMA1

价格

-

替代型号

型号 : FCD9N60NTM

制造商 : onsemi
库存 : 1,129
单价. : ¥20.03000
替代类型. : 直接

型号 : STD13N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 11,847
单价. : ¥16.54000
替代类型. : 类似

型号 : STD16N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥15.90000
替代类型. : 类似

型号 : STD13N60DM2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 100
单价. : ¥15.42000
替代类型. : 类似

型号 : SIHD9N60E-GE3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥15.50000
替代类型. : 类似

型号 : STD13NM60N

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥23.53000
替代类型. : 类似

型号 : STD10NM60N

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 4,910
单价. : ¥22.50000
替代类型. : 类似

UPM1E181MPD1TD G1238E48B1-FSR-WS VJ0603A1R2DXJCW1BC 395-044-524-208 RG2012V-112-C-T5

IPD60R385CPBTMA1

元器件型号详细信息

技术参数

相关信息

其它名称

所属分类/目录

相关文档

价格

替代型号

相似型号