元器件型号详细信息

原厂型号
IRF3546MTRPBF
摘要
MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN
详情
MOSFET - 阵列 25V 16A(Tc),20A(Tc) 表面贴装型 41-PQFN(6x8)
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
4 个 N 通道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A(Tc),20A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.9 毫欧 @ 27A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1310pF @ 13V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
41-PowerVFQFN
供应商器件封装
41-PQFN(6x8)
基本产品编号
IRF3546

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

2156-IRF3546MTRPBF-ITTR
SP001530116
IRF3546MTRPBFDKR
IRF3546MTRPBFTR
IRF3546MTRPBFCT
IFEINFIRF3546MTRPBF
IRF3546MTRPBF-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies IRF3546MTRPBF

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价格

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替代型号

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