English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRFI4212H-117P
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFI4212H-117P
摘要
MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
详情
MOSFET - 阵列 100V 11A 18W 通孔 TO-220-5 整包
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
72.5 毫欧 @ 6.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
490pF @ 50V
功率 - 最大值
18W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-5 整包
供应商器件封装
TO-220-5 整包
基本产品编号
IRFI4212
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001560448
IRFI4212H117P
2156-IRFI4212H-117PINF
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies IRFI4212H-117P
相关文档
规格书
1(IRFI4212H-117P)
其他相关文档
1(IR Part Numbering System)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
特色产品
1(Data Processing Systems)
参考设计库
1(IRAUDAMP7S-150: 500W Mono, 250W Stereo, ±45 ~ 60V in)
PCN 产品变更/停产
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mosfet Fab Transfer 04/Jul/2013)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRFI4212H-117P)
价格
-
替代型号
型号 : IRFI4212H-117PXKMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥18.44000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥18.44000
替代类型. : 直接