BSC0904NSIATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

BSC0904NSIATMA1

摘要

MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON

详情

表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Ta），78A（Tc） 2.5W（Ta），37W（Tc） PG-TDSON-8-6

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

5,000

供应商库存

>>>点击查询实时库存<<<

技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

20A（Ta），78A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

3.7 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

17 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1100 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

2.5W（Ta），37W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TDSON-8-6

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

BSC0904

其它名称

BSC0904NSIATMA1CT

BSC0904NSIDKR

BSC0904NSITR-ND

BSC0904NSIATMA1TR

BSC0904NSIATMA1DKR

BSC0904NSIDKR-ND

BSC0904NSI-ND

BSC0904NSICT-ND

BSC0904NSICT

BSC0904NSI

SP000854384

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSC0904NSIATMA1

价格

数量: 25000

单价: $2.4562
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000

数量: 10000

单价: $2.52084
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000

数量: 5000

单价: $2.61779
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000

数量: 2000

单价: $2.81168
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $3.10253
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $3.87828
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $4.9059
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.4
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $7.23
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $2.81168
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $3.10253
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $3.87828
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $4.9059
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.4
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $7.23
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

857-064-558-207 TEL 12-2423WI RP328-30-10-C 0603B682M500CT GA1210A561JBEAR31G

BSC0904NSIATMA1

元器件型号详细信息

技术参数

相关信息

其它名称

所属分类/目录

相关文档

价格

替代型号

相似型号