元器件型号详细信息

原厂型号
SPD30P06PGBTMA1
摘要
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 30A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
75 毫欧 @ 21.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
48 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1535 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
125W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
SPD30P06

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SPD30P06PGBTMA1CT
SPD30P06P GDKR
SPD30P06PGBTMA1TR
SP000441776
SPD30P06P G
SPD30P06P GDKR-ND
SPD30P06PGBTMA1DKR
SPD30P06P GCT
SPD30P06P G-ND
SPD30P06P GCT-ND
SPD30P06P GTR-ND
SPD30P06PG

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies SPD30P06PGBTMA1

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1(SPD30P06P G)
EDA 模型
1(SPD30P06PGBTMA1 by Ultra Librarian)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 60V P-Channel Spice Model)

价格

数量: 12500
单价: $6.05537
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $6.21472
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $6.45376
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 1000
单价: $6.93184
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $8.366
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $10.1822
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $12.672
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $14.07
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $6.93184
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $8.366
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $10.1822
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $12.672
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $14.07
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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