English
Spain
Rusia
Italy
GermanyFQP3N50C-F080
元器件型号详细信息
原厂型号
FQP3N50C-F080
摘要
MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3
详情
通孔 N 通道 500 V 1.8A（Tc） 62W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
365 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
62W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
FQP3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FQP3N50C-F080-ND
FQP3N50C_F080-ND
2832-FQP3N50C-F080-488
FQP3N50C-F080OS
FQP3N50C_F080
2832-FQP3N50C-F080
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQP3N50C-F080
相关文档
规格书
1(FQP3N50C, FQPF3N50C)
环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab 28/Jul/2021)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
HTML 规格书
1(FQP3N50C, FQPF3N50C)
EDA 模型
1(FQP3N50C-F080 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : FQP13N50C
制造商 : onsemi
库存 : 17
单价. : ¥16.46000
替代类型. : MFR Recommended
库存 : 17
单价. : ¥16.46000
替代类型. : MFR Recommended
型号 : IXTP1R6N50D2
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥24.41000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥24.41000
替代类型. : 类似