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GermanyIGN1011L1200
元器件型号详细信息
原厂型号
IGN1011L1200
摘要
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
详情
RF Mosfet 50 V 160 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 16.8dB 1250W PL84A1
原厂/品牌
Integra Technologies Inc.
原厂到货时间
4 周
EDA/CAD 模型
标准包装
5
供应商库存
技术参数
制造商
Integra Technologies Inc.
系列
-
包装
托盘
产品状态
在售
技术
HEMT
频率
1.03GHz ~ 1.09GHz
增益
16.8dB
电压 - 测试
50 V
额定电流（安培）
-
噪声系数
-
电流 - 测试
160 mA
功率 - 输出
1250W
电压 - 额定
180 V
封装/外壳
PL84A1
供应商器件封装
PL84A1
基本产品编号
IGN1011
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/RF FET，MOSFET/Integra Technologies Inc. IGN1011L1200
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规格书
1(IGN1011L1200)
价格
数量: 1
单价: $7267.03
包装: 托盘
最小包装数量: 1
包装: 托盘
最小包装数量: 1
替代型号
-