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GermanyCSD75205W1015
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD75205W1015
摘要
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
详情
MOSFET - 阵列 20V 1.2A 750mW 表面贴装型 6-DSBGA（1x1.5）
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
120 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
850mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
265pF @ 10V
功率 - 最大值
750mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-UFBGA，DSBGA
供应商器件封装
6-DSBGA（1x1.5）
基本产品编号
CSD75205
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
296-25335-1
296-25335-2
-296-25335-1-ND
296-25335-1-NDR
296-25335-6
296-25335-6-NDR
-CSD75205W1015-NDR
296-25335-2-NDR
-296-25335-1-NDR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Texas Instruments CSD75205W1015
相关文档
规格书
1(CSD75205W1015)
产品培训模块
1(NexFET MOSFET Technology)
视频文件
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 20/Feb/2014)
HTML 规格书
1(CSD75205W1015)
EDA 模型
1(CSD75205W1015 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : CSD75208W1015
制造商 : Texas Instruments
库存 : 30
单价. : ¥4.45000
替代类型. : 直接
库存 : 30
单价. : ¥4.45000
替代类型. : 直接