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GermanyTK20N60W5,S1VF
元器件型号详细信息
原厂型号
TK20N60W5,S1VF
摘要
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
详情
通孔 N 通道 600 V 20A（Ta） 165W（Tc） TO-247
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
DTMOSIV
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
175 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1800 pF @ 300 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
165W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
TK20N60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TK20N60W5S1VF
TK20N60W5,S1VF(S
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TK20N60W5,S1VF
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规格书
1(TK20N60W5)
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价格
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