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GermanyBSP372L6327HTSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSP372L6327HTSA1
摘要
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
310 毫欧 @ 1.7A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA
Vgs（最大值）
±14V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
520 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223-4
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSP372L6327INCT
BSP372L6327INCT-ND
BSP372 L6327-ND
BSP372L6327INDKR-ND
2156-BSP372L6327HTSA1-ITTR
INFINFBSP372L6327HTSA1
BSP372L6327HTSA1DKR
BSP372L6327
BSP372L6327HTSA1TR
BSP372L6327HTSA1CT
BSP372L6327INTR
BSP372L6327XT
BSP372L6327INDKR
BSP372L6327INTR-ND
SP000087064
BSP372 L6327
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSP372L6327HTSA1
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PCN 产品变更/停产
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HTML 规格书
1(BSP372)
价格
-
替代型号
型号 : BSP372NH6327XTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,779
单价. : ¥7.00000
替代类型. : 直接
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型号 : DMN10H220LE-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 182
单价. : ¥4.69000
替代类型. : 类似
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型号 : FQT7N10LTF
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥5.96000
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