元器件型号详细信息

原厂型号
FQD17P06TF
摘要
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 12A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) TO-252AA
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
135 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
27 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
900 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),44W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
FQD1

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

FQD17P06TFTR
FQD17P06TFDKR
FQD17P06TFCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FQD17P06TF

相关文档

环保信息
1(onsemi RoHS)
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1(FQD17P06TF by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

型号 : FQD17P06TM
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库存 : 0
单价. : ¥10.02000
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