元器件型号详细信息

原厂型号
SIHP22N60AEL-GE3
摘要
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
详情
通孔 N 通道 600 V 21A(Tc) 208W(Tc) TO-220AB
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
EL
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
180 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
82 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1757 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
208W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
SIHP22

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SIHP22N60AEL-GE3TR
SIHP22N60AEL-GE3CT
SIHP22N60AEL-GE3DKRINACTIVE
SIHP22N60AEL-GE3DKR-ND
SIHP22N60AEL-GE3CT-ND
SIHP22N60AEL-GE3TR-ND
SIHP22N60AEL-GE3TRINACTIVE
SIHP22N60AEL-GE3DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SIHP22N60AEL-GE3

相关文档

规格书
1(SIHP22N60AEL ~)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019)
HTML 规格书
1(SIHP22N60AEL ~)

价格

-

替代型号

型号 : SIHG22N60AEL-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 49
单价. : ¥33.71000
替代类型. : 参数等效
型号 : FCP150N65F
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥43.40000
替代类型. : 类似
型号 : SPP20N60C3XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,759
单价. : ¥50.08000
替代类型. : 类似
型号 : FCP190N60-GF102
制造商 : onsemi
库存 : 787
单价. : ¥22.97000
替代类型. : 类似
型号 : IPP65R150CFDAAKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥49.92000
替代类型. : 类似
型号 : AOT20S60L
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 2,988
单价. : ¥25.76000
替代类型. : 类似
型号 : STP25N60M2-EP
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 23
单价. : ¥22.97000
替代类型. : 类似
型号 : IPP60R170CFD7XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥29.10000
替代类型. : 类似
型号 : AOT27S60L
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 6
单价. : ¥31.88000
替代类型. : 类似