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20250712
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元器件资讯
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IPD320N20N3GBTMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD320N20N3GBTMA1
摘要
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 34A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
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技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
34A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
32 毫欧 @ 34A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
29 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2350 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
136W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
IPD320N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPD320N20N3 GTR-ND
IPD320N20N3GBTMA1DKR
SP000677838
IPD320N20N3 GDKR-ND
IPD320N20N3 GDKR
IPD320N20N3 GCT
IPD320N20N3G
IPD320N20N3GBTMA1TR
IPD320N20N3 G-ND
IPD320N20N3 GTR
IPD320N20N3 G
IPD320N20N3GBTMA1CT
IPD320N20N3 GCT-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPD320N20N3GBTMA1
相关文档
规格书
1(IPD320N20N3G)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
价格
-
替代型号
型号 : IPD320N20N3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 306
单价. : ¥25.84000
替代类型. : 参数等效
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