English
Spain
Rusia
Italy
GermanyHUF75639P3-F102
元器件型号详细信息
原厂型号
HUF75639P3-F102
摘要
MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
详情
通孔 N 通道 100 V 56A（Tc） 200W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 56A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
130 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2000 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
HUF75639
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2832-HUF75639P3-F102
2832-HUF75639P3-F102-488
HUF75639P3_F102-ND
HUF75639P3_F102
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi HUF75639P3-F102
相关文档
规格书
1(HUF75639G3, P3, S3, S3S)
环保信息
()
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev 14/Dec/2022)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
HTML 规格书
1(HUF75639G3, P3, S3, S3S)
EDA 模型
1(HUF75639P3-F102 by SnapEDA)
价格
数量: 5000
单价: $8.55583
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $8.88489
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $9.54306
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $11.5175
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $14.0181
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $17.442
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $19.4
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : HUF75639P3
制造商 : onsemi
库存 : 58
单价. : ¥20.75000
替代类型. : 参数等效
库存 : 58
单价. : ¥20.75000
替代类型. : 参数等效
型号 : HUF75639P3-F102
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥19.40000
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥19.40000
替代类型. : 参数等效
型号 : STP30N10F7
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,108
单价. : ¥12.80000
替代类型. : 类似
库存 : 1,108
单价. : ¥12.80000
替代类型. : 类似
型号 : IXTP75N10P
制造商 : IXYS
库存 : 48
单价. : ¥39.51000
替代类型. : 类似
库存 : 48
单价. : ¥39.51000
替代类型. : 类似
型号 : AUIRF540Z
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,947
单价. : ¥21.07000
替代类型. : 类似
库存 : 2,947
单价. : ¥21.07000
替代类型. : 类似