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GermanyMMFT960T1G
元器件型号详细信息
原厂型号
MMFT960T1G
摘要
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 300mA（Tc） 800mW（Ta） SOT-223（TO-261）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
65 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
800mW（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223（TO-261）
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
MMFT96
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
MMFT960T1GOSTR
MMFT960T1GOS-ND
MMFT960T1GOS
MMFT960T1GOSCT
MMFT960T1GOSDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi MMFT960T1G
相关文档
规格书
1(MMFT960T1)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 17/Apr/2015)
PCN 设计/规格
1(Datasheet MSL Updated 2/April/2007)
HTML 规格书
1(MMFT960T1)
EDA 模型
1(MMFT960T1G by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : NTF3055-100T1G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥7.06000
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库存 : 0
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型号 : ZVN2106GTA
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥7.05000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥7.05000
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型号 : ZVN4310GTA
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 7,179
单价. : ¥12.88000
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单价. : ¥12.88000
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型号 : BSP126,135
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 19,945
单价. : ¥4.86000
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单价. : ¥4.86000
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型号 : ZVN4206GVTA
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 30,515
单价. : ¥7.69000
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库存 : 30,515
单价. : ¥7.69000
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型号 : BSP126,115
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 80,160
单价. : ¥4.86000
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库存 : 80,160
单价. : ¥4.86000
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