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GermanyFF50R12RT4HOSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
FF50R12RT4HOSA1
摘要
IGBT MOD 1200V 50A 285W
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1200 V 50 A 285 W 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
20 周
EDA/CAD 模型
标准包装
10
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
托盘
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
50 A
功率 - 最大值
285 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.15V @ 15V，50A
电流 - 集电极截止（最大值）
1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
2.8 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
FF50R12
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
INFINFFF50R12RT4HOSA1
SP000624912
FF50R12RT4
2156-FF50R12RT4HOSA1
FF50R12RT4-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies FF50R12RT4HOSA1
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规格书
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PCN 设计/规格
1(Mult Dev Plating 16/Dec/2022)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Chgs 3/Dec/2021)
HTML 规格书
1(FF50R12RT4)
价格
数量: 80
单价: $389.69963
包装: 托盘
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 30
单价: $420.53833
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
替代型号
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