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GermanyCSD88599Q5DCT
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD88599Q5DCT
摘要
MOSFET 2N-CH 60V 22-VSON-CLIP
详情
MOSFET - 阵列 60V 12W 表面贴装型 22-VSON-CLIP（5x6）
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
12 周
EDA/CAD 模型
标准包装
250
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.1 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4840pF @ 30V
功率 - 最大值
12W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
22-PowerTFDFN
供应商器件封装
22-VSON-CLIP（5x6）
基本产品编号
CSD88599Q5
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
296-46924-1
296-46924-6
2156-CSD88599Q5DCT
296-46924-2
TEXTISCSD88599Q5DCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Texas Instruments CSD88599Q5DCT
相关文档
规格书
1(CSD88599Q5DC Datasheet)
特色产品
1(Power Management)
制造商产品页面
1(CSD88599Q5DCT Specifications)
HTML 规格书
1(CSD88599Q5DC Datasheet)
EDA 模型
1(CSD88599Q5DCT by Ultra Librarian)
价格
数量: 1250
单价: $21.46474
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
数量: 500
单价: $23.7543
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
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最小包装数量: 250
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最小包装数量: 250
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替代型号
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