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GermanyA2T21H360-23NR6
元器件型号详细信息
原厂型号
A2T21H360-23NR6
摘要
RF TRANS 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S
详情
RF Mosfet 28 V 500 mA 2.11GHz ~ 2.2GHz 16.8dB 373W OM-1230-4L2L
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
150
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
LDMOS
配置
双
频率
2.11GHz ~ 2.2GHz
增益
16.8dB
电压 - 测试
28 V
额定电流（安培）
10µA
噪声系数
-
电流 - 测试
500 mA
功率 - 输出
373W
电压 - 额定
65 V
封装/外壳
OM-1230-4L2L
供应商器件封装
OM-1230-4L2L
基本产品编号
A2T21
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
其它名称
2832-A2T21H360-23NR6
935322358528
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/RF FET，MOSFET/NXP USA Inc. A2T21H360-23NR6
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规格书
1(A2T21H360-23NR6)
环保信息
()
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(A2T21H360-23NR6)
价格
-
替代型号
型号 : A3G18D510-04SR3
制造商 : NXP USA Inc.
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制造商 : Ampleon USA Inc.
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型号 : BLL8H1214L-500U
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