元器件型号详细信息

原厂型号
PMDT670UPE,115
摘要
MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
详情
MOSFET - 阵列 20V 550mA 330mW 表面贴装型 SOT-666
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000

技术参数

制造商
Nexperia USA Inc.
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 个 P 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
550mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
850 毫欧 @ 400mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.14nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
87pF @ 10V
功率 - 最大值
330mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-666
基本产品编号
PMDT670

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

1727-1334-1
568-10767-1-ND
1727-1334-2
568-10767-6
568-10767-2-ND
568-10767-2
PMDT670UPE,115-ND
1727-1334-6
568-10767-6-ND
568-10767-1
934065734115
PMDT670UPE115

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Nexperia USA Inc. PMDT670UPE,115

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