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元器件型号详细信息
原厂型号
SPU08P06P
摘要
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO251-3
详情
通孔 P 通道 60 V 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO251-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.83A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
300 毫欧 @ 6.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
420 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
42W（Tc）
工作温度
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO251-3
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
基本产品编号
SPU08P
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SPU08P06PX
SPU08P06PXTIN
SP000012086
SPU08P06PXTIN-ND
SPU08P06PIN
SPU08P06PIN-NDR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPU08P06P
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