元器件型号详细信息

原厂型号
IPD30N06S2L-13
摘要
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
Product Status
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
13 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
69 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
136W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
IPD30N

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IPD30N06S2L-13TR
SP000252167
IPD30N06S2L-13-ND
IPD30N06S2L-13CT
IPD30N06S2L-13DKR
IPD30N06S2L13
IPD30N06S2L13ATMA1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPD30N06S2L-13

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价格

数量: 25000
单价: $2.90979
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 12500
单价: $2.94042
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $3.05527
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $3.21608
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 1
单价: $7.55
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $7.55
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IPD30N06S2L13ATMA4
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库存 : 236
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制造商 : STMicroelectronics
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