IPD30N06S2L-13

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD30N06S2L-13

摘要

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 55 V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

Product Status

allaboutcomponents.com 停止提供

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

13 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 80µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

69 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1800 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

136W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3-11

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD30N

其它名称

IPD30N06S2L-13TR

SP000252167

IPD30N06S2L-13-ND

IPD30N06S2L-13CT

IPD30N06S2L-13DKR

IPD30N06S2L13

IPD30N06S2L13ATMA1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD30N06S2L-13

价格

数量: 25000

单价: $2.90979
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 12500

单价: $2.94042
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 5000

单价: $3.05527
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 2500

单价: $3.21608
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 1

单价: $7.55
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $7.55
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IPD30N06S2L13ATMA4

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,190
单价. : ¥13.44000
替代类型. : 直接

型号 : AUIRFR2905Z

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3
单价. : ¥12.80000
替代类型. : 类似

型号 : BUK7212-55B,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 4,950
单价. : ¥13.67000
替代类型. : 类似

型号 : STD60NF55LAT4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 236
单价. : ¥14.55000
替代类型. : 类似

型号 : STD60NF55LT4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 726
单价. : ¥14.23000
替代类型. : 类似

型号 : FQD30N06TM

制造商 : onsemi
库存 : 2,145
单价. : ¥8.11000
替代类型. : 类似

GPY M0790-6-B 3M 468MP 1 X 1-1000 PIC18LF27K42-E/SO MAX6864UK16D3S+T

IPD30N06S2L-13

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