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GermanyHAT2266HWS-E
元器件型号详细信息
原厂型号
HAT2266HWS-E
摘要
MOSFET N-CH 60V 30A 5LFPAK
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 30A（Ta） 23W（Tc） LFPAK
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3600 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
23W（Tc）
工作温度
150°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
LFPAK
封装/外壳
SC-100，SOT-669
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Renesas Electronics America Inc HAT2266HWS-E
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价格
-
替代型号
-