元器件型号详细信息

原厂型号
IRF530STRRPBF
摘要
MOSFET N-CH 100V 14A TO263
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 14A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D²PAK(TO-263)
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
28 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
160 毫欧 @ 8.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
26 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
670 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.7W(Ta),88W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK(TO-263)
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
IRF530

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IRF530STRRPBF-ND
742-IRF530STRRPBFDKR
IRF530STRRPBFDKR-ND
742-IRF530STRRPBFCT
IRF530STRRPBFDKR
742-IRF530STRRPBFTR
IRF530STRRPBFTR
IRF530STRRPBFTR-ND
IRF530STRRPBFCT
IRF530STRRPBFCT-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix IRF530STRRPBF

相关文档

规格书
1(IRF530S, SiHF530S)
PCN 组装/来源
1(Additional Assembly Site 21/Oct/2016)
HTML 规格书
1(IRF530S, SiHF530S)

价格

数量: 800
单价: $8.16584
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 800
数量: 100
单价: $9.939
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $12.362
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $13.75
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $9.939
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $12.362
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $13.75
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IRF530STRLPBF
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库存 : 7,251
单价. : ¥13.75000
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型号 : IRF530NSTRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 15,187
单价. : ¥12.48000
替代类型. : 类似