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GermanyIRF6613TR1PBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF6613TR1PBF
摘要
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 23A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET™ MT
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
23A（Ta），150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.4 毫欧 @ 23A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
63 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5950 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W（Ta），89W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DIRECTFET™ MT
封装/外壳
DirectFET™ 等容 MT
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRF6613TR1PBFTR
SP001528336
IRF6613TR1PBFCT
IRF6613TR1PBFDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF6613TR1PBF
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规格书
1(IRF6613(TR)PbF)
其他相关文档
1(IR Part Numbering System)
产品培训模块
()
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 20/Dec/2013)
PCN 组装/来源
1(DirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013)
PCN 其他
1(MSL Update 20/Feb/2014)
HTML 规格书
1(IRF6613(TR)PbF)
价格
-
替代型号
型号 : IRF6613TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 4,800
单价. : ¥20.83000
替代类型. : 参数等效
库存 : 4,800
单价. : ¥20.83000
替代类型. : 参数等效