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GermanySI3460BDV-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SI3460BDV-T1-GE3
摘要
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 8A（Tc） 2W（Ta），3.5W（Tc） 6-TSOP
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
36 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
27 毫欧 @ 5.1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
24 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
860 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta），3.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-TSOP
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
基本产品编号
SI3460
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SI3460BDV-T1-GE3-ND
SI3460BDV-T1-GE3TR
SI3460BDV-T1-GE3DKR
SI3460BDV-T1-GE3CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SI3460BDV-T1-GE3
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规格书
1(SI3460BDV)
PCN 组装/来源
1(New Solder Plating Site 18/Apr/2023)
HTML 规格书
1(SI3460BDV)
价格
数量: 3000
单价: $2.78373
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : SI3460BDV-T1-BE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 48
单价. : ¥7.23000
替代类型. : 直接
库存 : 48
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替代类型. : 直接
型号 : SI3460BDV-T1-E3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 2,288
单价. : ¥7.23000
替代类型. : 参数等效
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库存 : 59
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替代类型. : 类似
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型号 : RUQ050N02TR
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型号 : STT5N2VH5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 12,000
单价. : ¥4.77000
替代类型. : 类似
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