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GermanyNVMD6P02R2G
元器件型号详细信息
原厂型号
NVMD6P02R2G
摘要
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
详情
MOSFET - 阵列 20V 4.8A 750mW 表面贴装型 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
33 毫欧 @ 6.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
35nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1700pF @ 16V
功率 - 最大值
750mW
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
NVMD6
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
2156-NVMD6P02R2G-OS
ONSONSNVMD6P02R2G
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi NVMD6P02R2G
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环保信息
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PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 01/Oct/2021)
价格
-
替代型号
-