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Germany8ETH06-1
元器件型号详细信息
原厂型号
8ETH06-1
摘要
DIODE GEN PURP 600V 8A TO262-3
详情
二极管 600 V 8A 通孔 TO-262-3
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
FRED Pt®
包装
管件
产品状态
停产
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
600 V
电流 - 平均整流 (Io)
8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
2.4 V @ 8 A
速度
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
25 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
50 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容
-
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装
TO-262-3
工作温度 - 结
-65°C ~ 175°C
基本产品编号
8ETH06
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
8ETH061
*8ETH06-1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8ETH06-1
相关文档
规格书
1(8ETH06S/8ETH06-1)
HTML 规格书
1(8ETH06S/8ETH06-1)
价格
-
替代型号
型号 : VS-8ETH06-1-M3
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 0
单价. : ¥4.26208
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
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型号 : STTH8R06D
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 585
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型号 : BYV29G-600,127
制造商 : WeEn Semiconductors
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