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元器件型号详细信息
原厂型号
SSM3K35MFV,L3F
摘要
MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 180mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
8,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 欧姆 @ 50mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.5 pF @ 3 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）
工作温度
150°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
VESM
封装/外壳
SOT-723
基本产品编号
SSM3K35
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35MFV,L3F
相关文档
规格书
1(SSM3K35MFV)
特色产品
1(Server Solutions)
EDA 模型
1(SSM3K35MFV by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-