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元器件型号详细信息
原厂型号
IRFHM4226TRPBF
摘要
MOSFET N CH 25V 28A PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 25 V 28A（Ta） 2.7W（Ta），39W（Tc）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
28A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
32 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2000 pF @ 13 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.7W（Ta），39W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-TQFN 裸露焊盘
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRFHM4226TRPBFCT
IRFHM4226TRPBFTR
SP001556568
IRFHM4226TRPBFDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFHM4226TRPBF
相关文档
规格书
1(IRFHM4226TRPbF)
产品培训模块
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
特色产品
()
PCN 产品变更/停产
1(Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016)
PCN 设计/规格
1(IRFHM4226 Datasheet Update 10/Oct/2014)
PCN 组装/来源
1(Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRFHM4226TRPbF)
价格
-
替代型号
型号 : BSZ0901NSIATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 10,000
单价. : ¥12.72000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥12.72000
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