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元器件型号详细信息
原厂型号
IPB80P03P4L04ATMA2
摘要
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO263-3-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.4毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 253µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+5V，-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11300 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
137W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IPB80P
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
448-IPB80P03P4L04ATMA2DKR
SP002325736
448-IPB80P03P4L04ATMA2TR
448-IPB80P03P4L04ATMA2CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB80P03P4L04ATMA2
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规格书
1(IPx80P03P4L-04)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assem/DS Rev 4/Oct/2022)
价格
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