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元器件型号详细信息
原厂型号
TPH3206PSB
摘要
GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
详情
通孔 N 通道 650 V 16A（Tc） 81W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
Transphorm
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Transphorm
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 10A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.6V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
720 pF @ 480 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
81W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
TPH3206
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Transphorm TPH3206PSB
相关文档
规格书
1(TPH3206PSB Datasheet)
产品培训模块
1(GaN versus Silicon Carbide (SiC) in Power Electronics Circuit Topologies)
视频文件
()
参考设计库
1(TDINV1000P100-KIT: 1000W, 240VAC/60Hz, 400VDCin)
PCN 产品变更/停产
1(TPH32/TPH32 02/Mar/2021)
HTML 规格书
1(TPH3206PSB Datasheet)
价格
数量: 10
单价: $69.737
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $77.19
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IXKP20N60C5
制造商 : IXYS
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