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GermanyFDB088N08_F141
元器件型号详细信息
原厂型号
FDB088N08_F141
摘要
MOSFET N-CHANNEL 75V 120A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 75 V 120A（Tc） 160W（Tc） D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.8 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
118 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6595 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
160W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
FDB088
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDB088N08_F141
相关文档
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices 10/Jul/2017)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
价格
-
替代型号
型号 : FDB088N08
制造商 : onsemi
库存 : 334
单价. : ¥23.37000
替代类型. : 参数等效
库存 : 334
单价. : ¥23.37000
替代类型. : 参数等效
型号 : IPB80N06S2L11ATMA2
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,000
单价. : ¥20.03000
替代类型. : 类似
库存 : 1,000
单价. : ¥20.03000
替代类型. : 类似
型号 : STB141NF55
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥13.14485
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥13.14485
替代类型. : 类似
型号 : IXTA90N055T2
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥20.50760
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥20.50760
替代类型. : 类似
型号 : AOB470L
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 0
单价. : ¥8.29731
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥8.29731
替代类型. : 类似
型号 : STB140NF55T4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 3,203
单价. : ¥29.41000
替代类型. : 类似
库存 : 3,203
单价. : ¥29.41000
替代类型. : 类似