元器件型号详细信息

原厂型号
STB150N3LH6
摘要
MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 80A(Tc) 110W(Tc) D²PAK(TO-263)
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
80 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
110W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK(TO-263)
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
STB150N

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

497-13263-6
-497-13263-2
-497-13263-1
-497-13263-6
497-13263-2
497-13263-1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/STMicroelectronics STB150N3LH6

相关文档

规格书
1(STB150N3LH6)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 01/Aug/2014)
PCN 设计/规格
()

价格

数量: 500
单价: $12.93846
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $15.748
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $19.589
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $21.78
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $12.93846
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $15.748
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $19.589
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $21.78
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : PSMN3R4-30BLE,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 300
单价. : ¥16.06000
替代类型. : 类似
型号 : PSMN2R7-30BL,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥14.95000
替代类型. : 类似
型号 : IRL7833STRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,890
单价. : ¥17.81000
替代类型. : 类似
型号 : PSMN3R4-30BL,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 87
单价. : ¥12.64000
替代类型. : 类似