English
Spain
Rusia
Italy
GermanyCY7C1320KV18-300BZXC
元器件型号详细信息
原厂型号
CY7C1320KV18-300BZXC
摘要
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
详情
SRAM - 同步，DDR II 存储器 IC 18Mb 并联 300 MHz 165-FBGA（13x15）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
136
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
托盘
产品状态
停产
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM - 同步，DDR II
存储容量
18Mb
存储器组织
512K x 36
存储器接口
并联
时钟频率
300 MHz
写周期时间 - 字，页
-
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V
工作温度
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
165-LBGA
供应商器件封装
165-FBGA（13x15）
基本产品编号
CY7C1320
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Infineon Technologies CY7C1320KV18-300BZXC
相关文档
规格书
1(CY7C1318KV18, CY7C1320KV1)
特色产品
1(Cypress Memory Products)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 15/Dec/2014)
PCN 组装/来源
1(Qualification of Die Attach Film 13/Dec/2013)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(Multiple Updates 27/Mar/2015)
HTML 规格书
1(CY7C1318KV18, CY7C1320KV1)
EDA 模型
1(CY7C1320KV18-300BZXC by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-