English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIKD03N60RF
元器件型号详细信息
原厂型号
IKD03N60RF
摘要
IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3
详情
IGBT 沟道 600 V 5 A 53.6 W 表面贴装型 PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
TrenchStop®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
5 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
7.5 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.5V @ 15V，2.5A
功率 - 最大值
53.6 W
开关能量
90µJ
输入类型
标准
栅极电荷
17.1 nC
25°C 时 Td（开/关）值
10ns/128ns
测试条件
400V，2.5A，68 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
31 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
PG-TO252-3
基本产品编号
IKD03N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IKD03N60RFTR
IKD03N60RFCT
IKD03N60RF-ND
SP000892372
IKD03N60RFDKR
IKD03N60RFBTMA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Infineon Technologies IKD03N60RF
相关文档
规格书
1(IKD03N60RF)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
HTML 规格书
1(IKD03N60RF)
价格
-
替代型号
型号 : FGD3N60LSDTM
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥10.81000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥10.81000
替代类型. : 类似
型号 : STGD3NB60SDT4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥8.82000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥8.82000
替代类型. : 类似