元器件型号详细信息

原厂型号
IXFX55N50F
摘要
MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3
详情
通孔 N 通道 500 V 55A(Tc) 560W(Tc) PLUS247™-3
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30

技术参数

制造商
IXYS
系列
HiPerRF™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
55A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
85 毫欧 @ 27.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
195 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6700 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
560W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
PLUS247™-3
封装/外壳
TO-247-3 变式
基本产品编号
IXFX55

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案

其它名称

IXFX55N50F-NDR
Q1649656

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/IXYS IXFX55N50F

相关文档

规格书
1(IXF(K,X)55N50F)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 18/Jan/2019)
HTML 规格书
1(IXF(K,X)55N50F)

价格

-

替代型号

型号 : IXFX60N55Q2
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似