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GermanyC3M0075120J
元器件型号详细信息
原厂型号
C3M0075120J
摘要
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
详情
表面贴装型 N 通道 1200 V 30A（Tc） 113.6W（Tc） D2PAK-7
原厂/品牌
Wolfspeed, Inc.
原厂到货时间
90 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Wolfspeed, Inc.
系列
C3M™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
90 毫欧 @ 20A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
51 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
+19V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1350 pF @ 1000 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
113.6W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK-7
封装/外壳
TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
基本产品编号
C3M0075120
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-3312-C3M0075120J
C3M0075120J-ND
1697-C3M0075120J
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Wolfspeed, Inc. C3M0075120J
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规格书
1(C3M0075120J)
特色产品
()
PCN 组装/来源
1(Mosfet Wafer Dia Chg Jan/2018)
文库
1(Use SiC-Based MOSFETs to Improve Power Conversion Efficiency)
EDA 模型
1(C3M0075120J by Ultra Librarian)
价格
数量: 500
单价: $97.2909
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $109.3684
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $129.496
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $140.87
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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