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GermanyBSC205N10LS G
元器件型号详细信息
原厂型号
BSC205N10LS G
摘要
MOSFET N-CH 100V 7.4A/45A TDSON
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 7.4A（Ta），45A（Tc） 76W（Tc） PG-TDSON-8-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.4A（Ta），45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20.5 毫欧 @ 45A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 43µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
41 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2900 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
76W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IFEINFBSC205N10LS G
BSC205N10LSGCT
BSC205N10LS G-ND
BSC205N10LSG
BSC205N10LS GDKR-ND
BSC205N10LSGTR
BSC205N10LS GCT
2156-BSC205N10LS G-ITTR
BSC205N10LSGDKR
BSC205N10LS GCT-ND
BSC205N10LS GDKR
BSC205N10LS GTR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSC205N10LS G
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HTML 规格书
1(BSC205N10LS G)
价格
-
替代型号
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型号 : STL60N10F7
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型号 : FDMS3662
制造商 : onsemi
库存 : 0
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