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GermanyIGB03N120H2ATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IGB03N120H2ATMA1
摘要
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
详情
IGBT 1200 V 9.6 A 62.5 W 表面贴装型 PG-TO263-3-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
最后售卖
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
9.6 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
9.9 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.8V @ 15V，3A
功率 - 最大值
62.5 W
开关能量
290µJ
输入类型
标准
栅极电荷
22 nC
25°C 时 Td（开/关）值
9.2ns/281ns
测试条件
800V，3A，82 欧姆，15V
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
基本产品编号
IGB03
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
448-IGB03N120H2ATMA1TR
IGB03N120H2ATMA1TR
IGB03N120H2
IGB03N120H2-ND
IGB03N120H2ATMA1TR-ND
SP000014616
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Infineon Technologies IGB03N120H2ATMA1
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价格
数量: 1000
单价: $10.25204
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
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最小包装数量: 1000
替代型号
型号 : STGB3NC120HDT4
制造商 : STMicroelectronics
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