元器件型号详细信息

原厂型号
SIR330DP-T1-GE3
摘要
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 35A(Tc) 5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK® SO-8
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.6 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
35 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1300 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
5W(Ta),27.7W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
基本产品编号
SIR330

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SIR330DP-T1-GE3DKR
SIR330DP-T1-GE3TR
SIR330DP-T1-GE3-ND
SIR330DP-T1-GE3CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SIR330DP-T1-GE3

相关文档

规格书
1(SIR330DP-T1-GE3)
产品培训模块
1(30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR)
PCN 产品变更/停产
1(OBS 11/Feb/2016)
PCN 组装/来源
1(Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014)

价格

-

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