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GermanyA2I25H060GNR1
元器件型号详细信息
原厂型号
A2I25H060GNR1
摘要
IC TRANS RF LDMOS
详情
RF Mosfet 28 V 26 mA 2.59GHz 26.1dB 10.5W TO-270WBG-17
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
LDMOS
配置
双
频率
2.59GHz
增益
26.1dB
电压 - 测试
28 V
额定电流（安培）
-
噪声系数
-
电流 - 测试
26 mA
功率 - 输出
10.5W
电压 - 额定
65 V
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-270-17 变型，鸥翼
供应商器件封装
TO-270WBG-17
基本产品编号
A2I25
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.33.0001
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/RF FET，MOSFET/NXP USA Inc. A2I25H060GNR1
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规格书
1(A2I25H060(G)NR1)
环保信息
()
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML 规格书
1(A2I25H060(G)NR1)
价格
-
替代型号
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