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元器件型号详细信息
原厂型号
TPH3206LSGB
摘要
GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 16A（Tc） 81W（Tc） 3-PQFN（8x8）
原厂/品牌
Transphorm
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Transphorm
系列
-
包装
托盘
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 10A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.6V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
720 pF @ 480 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
81W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
3-PQFN（8x8）
封装/外壳
3-PowerDFN
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Transphorm TPH3206LSGB
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规格书
1(TPH3206LSGB)
PCN 产品变更/停产
()
HTML 规格书
1(TPH3206LSGB)
价格
-
替代型号
型号 : TP65H150G4LSG
制造商 : Transphorm
库存 : 0
单价. : ¥39.83000
替代类型. : 类似
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