元器件型号详细信息

原厂型号
DMTH10H030LK3-13
摘要
MOSFET N-CH 100V 28A TO252
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 28A(Tc) 2.1W(Ta) TO-252-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
28A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
30 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
33.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1871 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252-3
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
DMTH10

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated DMTH10H030LK3-13

相关文档

规格书
1(DMTH10H030LK3)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 22/May/2018)

价格

-

替代型号

型号 : DMTH10H025LK3-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥2.52362
替代类型. : 类似
型号 : IPD30N10S3L34ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 44,788
单价. : ¥11.37000
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型号 : IRFR540ZTRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 32,899
单价. : ¥9.38000
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型号 : FDD86102
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥13.99000
替代类型. : 类似
型号 : IXTY44N10T
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥20.51000
替代类型. : 类似
型号 : FDD3670
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥21.70000
替代类型. : 类似
型号 : BUK7227-100B,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 17,275
单价. : ¥13.67000
替代类型. : 类似
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