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GermanyNTBGS004N10G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTBGS004N10G
摘要
POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 21A（Ta），203A（Tc） 3.7W（Ta），340W（Tc） D2PAK（TO-263）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
45 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Ta），203A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.1 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
178 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12100 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.7W（Ta），340W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
488-NTBGS004N10GCT
488-NTBGS004N10GTR
488-NTBGS004N10GDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTBGS004N10G
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规格书
1(NTBGS004N10G)
环保信息
()
PCN 组装/来源
1(Multiple Parts 23/Jun/2022)
HTML 规格书
1(NTBGS004N10G)
价格
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