元器件型号详细信息

原厂型号
IPW60R250CP
摘要
MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
详情
通孔 N 通道 650 V 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO247-3-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
240

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
250 毫欧 @ 7.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 440µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
35 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1200 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
104W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3-1
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IPW60R

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

2156-IPW60R250CP-IT
IPW60R250CPFKSA1
SP000310511
INFINFIPW60R250CP

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPW60R250CP

相关文档

规格书
()
其他相关文档
1(Part Number Guide)
产品培训模块
1(Power Factor Correction)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Device OBS 29/Oct/2015)
HTML 规格书
()

价格

-

替代型号

型号 : STW21NM60ND
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 47
单价. : ¥47.70000
替代类型. : 类似
型号 : IXTH20N65X
制造商 : IXYS
库存 : 300
单价. : ¥83.39000
替代类型. : 类似
型号 : STW18N65M5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥30.29000
替代类型. : 类似
型号 : IXFK32N60
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
型号 : STW18N60M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 600
单价. : ¥24.25000
替代类型. : 类似
型号 : SIHG15N60E-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥26.39000
替代类型. : 类似
型号 : IXFX32N80Q3
制造商 : IXYS
库存 : 850
单价. : ¥259.08000
替代类型. : 类似
型号 : STW18NM60N
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥54.85000
替代类型. : 类似