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GermanyNDS9952A-F011
元器件型号详细信息
原厂型号
NDS9952A-F011
摘要
MOSFET N/P-CH 30V
详情
MOSFET - 阵列 30V 2.9A 900mW（Ta） 表面贴装型 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
80 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27nC @ 10V，5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
320pF @ 10V
功率 - 最大值
900mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
NDS995
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
488-NDS9952A-F011TR
2832-NDS9952A-F011TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi NDS9952A-F011
相关文档
规格书
1(NDS9952A)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 8/Apr/2021)
HTML 规格书
1(NDS9952A)
价格
-
替代型号
-