元器件型号详细信息

原厂型号
SPB20N60S5ATMA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 20A TO263-3
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 20A(Tc) 208W(Tc) PG-TO263-3-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
190 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
103 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3000 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
208W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
SPB20N

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SPB20N60S5INTR
SPB20N60S5ATMA1CT
SPB20N60S5
SPB20N60S5INCT-ND
SPB20N60S5INDKR
SPB20N60S5INTR-ND
SPB20N60S5XT
SP000012112
SPB20N60S5ATMA1TR
SPB20N60S5INCT
SPB20N60S5-ND
SPB20N60S5ATMA1DKR
SPB20N60S5INDKR-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies SPB20N60S5ATMA1

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价格

-

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