元器件型号详细信息

原厂型号
FDS6994S
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
详情
MOSFET - 阵列 30V 6.9A,8.2A 900mW 表面贴装型 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
onsemi
系列
PowerTrench®, SyncFET™
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.9A,8.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
21 毫欧 @ 6.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
800pF @ 15V
功率 - 最大值
900mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
FDS69

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

FDS6994SFSDKR
FDS6994S-ND
FDS6994SFSCT
FDS6994SFSTR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi FDS6994S

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环保信息
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价格

-

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